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| 氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究 | |
| 作者姓名： | 李国辉 庄尉华 李成基 周德明 |
| 作者单位： | 北京师大低能所，中国科学院半导体所，中国科学院半导体所，北京市有色所 |
| 摘 要： | 一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs_(1-x)P_x材料中注入Zn~ 和N~ 提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs_(1-x)P_x发光二极管主要是在结区产生电致发光。因此要提高发光效率就必须研究 |
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