硅藻土表面羟基的1H魔角旋转核磁共振谱 |
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引用本文: | 袁鹏,吴大清,陈忠,陈志伟,林种玉刁桂仪,彭金莲.硅藻土表面羟基的1H魔角旋转核磁共振谱[J].科学通报,2001,46(4):342-344. |
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作者姓名: | 袁鹏 吴大清 陈忠 陈志伟 林种玉刁桂仪 彭金莲 |
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作者单位: | [1]中国科学院广州地球化学研究所,广州510640 [2]厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门361005 |
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摘 要: | 采用高转速的^1H魔角旋转核磁共振技术,成功分辨了硅藻土表面不同类型的羟基:孤立羟基、氢键缔合羟基,以及表面吸附的孔隙水和氢键结合水。其质子的化学位移(δ)分别约为2.0,6.0-7.1,4.9和3.0。随热处理温度逐渐升高,孔隙水、氢键结合水先后脱附,导致代表孤立羟基质子、氢键缔合羟基质子的谱峰的相对强度增加,1000℃时达到最大。1100℃时,强氢键缔合羟基、孤立羟基基本缩合,弱氢键缔合羟基则仍有部分保留于微孔之中。
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关 键 词: | 硅藻土 表面羟基 ^1H氢魔角旋转核磁共振谱 热处理 孤立羟基 氢键缔合羟基 孔隙水 二氧化硅 |
收稿时间: | 2000-07-18 |
修稿时间: | 2000年7月18日 |
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