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硅藻土表面羟基的1H魔角旋转核磁共振谱
引用本文:袁鹏,吴大清,陈忠,陈志伟,林种玉刁桂仪,彭金莲.硅藻土表面羟基的1H魔角旋转核磁共振谱[J].科学通报,2001,46(4):342-344.
作者姓名:袁鹏  吴大清  陈忠  陈志伟  林种玉刁桂仪  彭金莲
作者单位:[1]中国科学院广州地球化学研究所,广州510640 [2]厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门361005
摘    要:采用高转速的^1H魔角旋转核磁共振技术,成功分辨了硅藻土表面不同类型的羟基:孤立羟基、氢键缔合羟基,以及表面吸附的孔隙水和氢键结合水。其质子的化学位移(δ)分别约为2.0,6.0-7.1,4.9和3.0。随热处理温度逐渐升高,孔隙水、氢键结合水先后脱附,导致代表孤立羟基质子、氢键缔合羟基质子的谱峰的相对强度增加,1000℃时达到最大。1100℃时,强氢键缔合羟基、孤立羟基基本缩合,弱氢键缔合羟基则仍有部分保留于微孔之中。

关 键 词:硅藻土  表面羟基  ^1H氢魔角旋转核磁共振谱  热处理  孤立羟基  氢键缔合羟基  孔隙水  二氧化硅
收稿时间:2000-07-18
修稿时间:2000年7月18日
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