| 金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究 |
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| 引用本文： | 孙小菁,马书懿,魏晋军,徐小丽. 金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究[J]. 西北师范大学学报(自然科学版), 2007, 43(6): 38-41 |
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| 作者姓名： | 孙小菁 马书懿 魏晋军 徐小丽 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;教育部科学技术研究重点项目;甘肃省重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si—O—Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为：红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si—Metal,Metal—O,Metal—Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.
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| 关 键 词： | 金属掺杂多孔硅 电化学 光致发光 X射线衍射 红外吸收 |
| 文章编号： | 1001-988X(2007)06-0038-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-20 |
Study on fabrication and fluorescent property of metal-doped porous silicon |
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| SUN Xiao-jing,MA Shu-yi,WEI Jin-jun,XU Xiao-li. Study on fabrication and fluorescent property of metal-doped porous silicon[J]. Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly), 2007, 43(6): 38-41 |
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| Authors: | SUN Xiao-jing MA Shu-yi WEI Jin-jun XU Xiao-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal-doped porous silicon electrochemistry photoluminescence XRD FTIR |
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