| 用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷 |
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| 引用本文： | 郑虹,鲍希茂.用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷[J].南京大学学报(自然科学版),1993,29(4):581-585. |
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| 作者姓名： | 郑虹 鲍希茂 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系和固体微结构实验室，南京大学物理系和固体微结构实验室，南京大学物理系和固体微结构实验室 |
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| 摘 要： | 在顶非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃.60分钟退火形成硅化钛.在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷.而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除.
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| 关 键 词： | 预非晶化 离子注入 注入缺陷 硅化物 |
ELIMINATION OF END OF RANGE DEFECTS BY VACANCIES RELEASED DURING TI SILICIDATION |
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| Zheng Hong Bao Ximao Hong Jianming.ELIMINATION OF END OF RANGE DEFECTS BY VACANCIES RELEASED DURING TI SILICIDATION[J].Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed,1993,29(4):581-585. |
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| Authors: | Zheng Hong Bao Ximao Hong Jianming |
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| Institution: | Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | preamorphization ion implantation implantation defect silicide |
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