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| 一种特性可控的磁控电阻器件模型 | |
| 引用本文： | 秦建敏,陈衍翊,卜庆华.一种特性可控的磁控电阻器件模型[J].太原理工大学学报,1988(4). |
| 作者姓名： | 秦建敏 陈衍翊 卜庆华 |
| 作者单位： | 太原工业大学信息系统工程系，太原工业大学信息系统工程系，太原工业大学信息系统工程系 |
| 摘 要： | 本文提出了一种新的半导体磁电转换器件模型并提供了模拟实验结果。该模型将半导体中霍尔效应与耗尽型绝缘栅场效应管漏极特性中的线性电阻工作区特性溶合在一起,从而构成了一种特性可控的半导体磁电转换器件——磁控电阻。 |
| 关 键 词： | 磁控电阻 霍尔效应 耗尽型绝缘栅场效应管 漏极特性线性电阻区 |
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