| InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质 |
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| 引用本文： | 何国敏,郑永梅,王仁智,刘宝林.InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质[J].厦门大学学报(自然科学版),2000,39(2):169-174. |
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| 作者姓名： | 何国敏 郑永梅 王仁智 刘宝林 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目!(E9910 0 5) |
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| 摘 要： | 采用有效质量理论６带模型，研究量子结构变化对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ量子阱和量子线光学性质的影响。计算结果表明量子线结构可以更低的注入电子浓度下，得到更高的光学增益，而且具有光学各向异性。说明量子线结构比量子阱结构提高量子激光器光学性能。
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| 关 键 词： | 量子阱 量子线 InGaAs InP 半导体 光学性质 |
| 文章编号： | 0438-0479(2000)02-0169-06 |
| 修稿时间： | 1999-05-20 |
Optical Properties of InGaAs/InP Quantum Well and Wire |
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| HE Guo-min,ZHENG Yong-mei,WANG Ren-zhi,LIU Bao-lin.Optical Properties of InGaAs/InP Quantum Well and Wire[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2000,39(2):169-174. |
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| Authors: | HE Guo-min ZHENG Yong-mei WANG Ren-zhi LIU Bao-lin |
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| Abstract: | In the framework of 6 band effecive mass theory, the quantum structure effects on the optical properties of In 0.53Ga 0.47 As/InP quantum wire and quantum well are studied. The results show that optical gain is improved for quantum wire. Optical anisotropy for quantum wire is also found. The results indicate that quantum wire improves the optical properties of laser. |
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| Keywords: | effective mass theory quantum wire optical gain |
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