| 玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积 |
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| 引用本文： | 刘杨秋,梁彤祥,符晓铭,倪晓军. 玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积[J]. 清华大学学报(自然科学版), 2003, 43(6): 808-810 |
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| 作者姓名： | 刘杨秋 梁彤祥 符晓铭 倪晓军 |
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| 作者单位： | 清华大学,核能技术设计研究院,北京,100084 |
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| 摘 要： | 使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。
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| 关 键 词： | 混合集成电路 膜集成电路 铜薄膜 化学气相沉积 玻璃陶瓷 |
| 文章编号： | 1000-0054(2003)06-0808-03 |
| 修稿时间： | 2002-02-21 |
Thin copper films prepared by chemical vapor deposition on glass-ceramic substrates |
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| LIU Yangqiu,LIANG Tongxiang,FU Xiaoming,NI Xiaojun. Thin copper films prepared by chemical vapor deposition on glass-ceramic substrates[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 2003, 43(6): 808-810 |
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| Authors: | LIU Yangqiu LIANG Tongxiang FU Xiaoming NI Xiaojun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hybrid integrated circuits film integrated circuits Cu thin film chemical vapor deposition glass-ceramic |
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