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| ZnS结构类型的半导体化合物禁带宽度变化的规律 | |
| 作者姓名： | 王银桂 甘章玉 张乾二 |
| 作者单位： | 厦门大学化学系物理化学(二)教研组(王银桂，甘章玉)，厦门大学化学系物理化学(二)教研组(张乾二) |
| 摘 要： | Pearson,Suchet,Manca等曾应用结构化学的参数讨论了本征半导体的禁带宽度的变化规律及其与物理化学性质的联系,这些研究工作都是很有意义的,在这些研究工作的启发下,本文作者试图以周期律为指导,探求具有ZnS结构类型的本征半导体化合物的禁带宽度变化的规律,并提出了一个依据化合物中元素在周期表中的位置计算其禁带宽度的经验公式,依此公式所得的计算值与实验值相当符合,但其物理意义则有待于深入探讨. |
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