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GaAs在外电场作用下的分子特性研究
引用本文:令狐荣锋,徐梅,宋晓书,吕兵,王晓璐.GaAs在外电场作用下的分子特性研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2010,33(3).
作者姓名:令狐荣锋  徐梅  宋晓书  吕兵  王晓璐
作者单位:1. 贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001;四川大学,原子与分子物理研究所,四川,成都,610065
2. 贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001
基金项目:国家自然科学基金,贵州省优秀科技教育人才省长基金(黔省专合字,贵州省教育厅自然科学重点项目,贵州省科学技术基金,贵州省高层次人才科研条件特助项目 
摘    要:用密度泛函B3LYP方法在6-311++g(3df,3pd)基组水平下对GaAs在不同强度外电场(-0.003~0.003 a.u.)下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极矩、能级分布、能隙、电荷分布、红外光谱及势能曲线的影响.结果表明,随着Ga→As方向外电场的增加,分子键长、偶极矩增大,原子电荷也递增,能隙、谐振频率及其红外强度递减,总能量降低;在外电场作用下,GaAs基态分子势能曲线也发生变化,离解能随之变化.

关 键 词:GaAs分子  外电场  结构特性

Study on the Molecular Properties of GaAs in the External Electric Field
LINGHU Rong-feng,XU Mei,SONG Xiao-shu,LV Bing,WANG Xiao-lu.Study on the Molecular Properties of GaAs in the External Electric Field[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2010,33(3).
Authors:LINGHU Rong-feng  XU Mei  SONG Xiao-shu  LV Bing  WANG Xiao-lu
Abstract:
Keywords:
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