H^+—ISFET响应机理研究的现状 |
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引用本文: | 李先文,黄强.H^+—ISFET响应机理研究的现状[J].渭南师专学报(自然科学版),1998,13(5):1-3,22. |
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作者姓名: | 李先文 黄强 |
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作者单位: | 渭南师专化学传感器研究室,714000 |
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摘 要: | 本文对响应氢离子的基础离子敏感场效应晶体管的响应机理进行了讨论。比较了不同的栅极敏感膜的PH响应曼敏度,并用H^ 和栅极表面相互作用差异解释了不同敏感膜响应PH灵敏度的不同.
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关 键 词: | 响应机理 PH响应 表面相互作用 敏感膜 氢离子 灵敏度 ISFET 离子敏感场效应晶体管 栅极 |
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