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在p型GaAs材料上用快速退火形成Au/Zn/Au欧姆接触
引用本文:廉德亮 姬成周. 在p型GaAs材料上用快速退火形成Au/Zn/Au欧姆接触[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 1994, 30(4): 463-466
作者姓名:廉德亮 姬成周
作者单位:北京师范大学低能核物理研究所
摘    要:在Mg注入形成的P型GaAs材料上,用预热和快速两步退火方式形成p型欧姆接触。用传输线方法(TLM)测量比接触电阻,得到最佳值3.73×10^-5Ω.cm^2,用在AlGaAs/GaAsHBT器件上,性能良好。

关 键 词:p型 砷化镓 欧姆接触 比接触电阻 快速退火

Au/Zn/Au OHMIC CONTACTS TO p-GaAs FORMED BY RAPID THERMAL ANNEALING
Lian Deliang,Ji Chengzhou,Du Shucheng,Qi Chenjie,Li Guohui. Au/Zn/Au OHMIC CONTACTS TO p-GaAs FORMED BY RAPID THERMAL ANNEALING[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 1994, 30(4): 463-466
Authors:Lian Deliang  Ji Chengzhou  Du Shucheng  Qi Chenjie  Li Guohui
Abstract:
Keywords:p-type ohmic contact  specific contact resistance  rapid thermal annealing  transmission line method  
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