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| 在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触 | |
| 引用本文： | 廉德亮,姬成周.在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触[J].北京师范大学学报(自然科学版),1994,30(4):463-466. |
| 作者姓名： | 廉德亮 姬成周 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。 |
| 关 键 词： | p型 砷化镓 欧姆接触 比接触电阻 快速退火 |
Au/Zn/Au OHMIC CONTACTS TO p-GaAs FORMED BY RAPID THERMAL ANNEALING |
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| Lian Deliang,Ji Chengzhou,Du Shucheng,Qi Chenjie,Li Guohui.Au/Zn/Au OHMIC CONTACTS TO p-GaAs FORMED BY RAPID THERMAL ANNEALING[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1994,30(4):463-466. | |
| Authors: | Lian Deliang Ji Chengzhou Du Shucheng Qi Chenjie Li Guohui |
| Abstract: | |
| Keywords: | p-type ohmic contact specific contact resistance rapid thermal annealing transmission line method |
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