| 电荷掺杂和杂原子掺杂聚硅烷的比较性理论研究 |
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| 引用本文： | 杨路清,张辉,牟宏晶,牛古丹. 电荷掺杂和杂原子掺杂聚硅烷的比较性理论研究[J]. 哈尔滨师范大学自然科学学报, 2007, 23(2): 87-90 |
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| 作者姓名： | 杨路清 张辉 牟宏晶 牛古丹 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学 |
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| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金 , 黑龙江省高等学校骨干教师资助计划 |
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| 摘 要： | 本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的聚21硅烷进行几何全优化,并对它们的几何结构和自旋密度进行了比较性理论研究.结果表明,电荷掺杂能使聚硅烷的Si—Si键长增长,其极子分布几乎遍及了聚21硅烷的整个链;而杂原子(B、P)的掺杂对聚硅烷的影响主要集中在与B、P原子相邻的Si原子上,极子分布仅局域在B、P原子附近的3~5个原子上.
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| 关 键 词： | 聚硅烷 导电性 电荷掺杂 杂原子掺杂 |
| 修稿时间： | 2006-11-18 |
COMPARISON THEORETICAL STUDY BETWEEN THE CHARGE DOPED AND THE HETEROATOM DOPED OLIGOSILANES |
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| Yang Luqing,Zhang Hui,Mu Hongjing,Niu Gudan. COMPARISON THEORETICAL STUDY BETWEEN THE CHARGE DOPED AND THE HETEROATOM DOPED OLIGOSILANES[J]. Natural Science Journal of Harbin Normal University, 2007, 23(2): 87-90 |
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| Authors: | Yang Luqing Zhang Hui Mu Hongjing Niu Gudan |
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| Affiliation: | Harbin University of Science and Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Oligosilane Conductivity Charge doping Heteroatom doping |
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