一种无需表面腐蚀的测量半导体少数载流子寿命的双脉冲法

已发表的双脉冲方法的理论分析,都假设样品的表面复合速度s为很小。本文对样品的表面复合速度s→∞时的双脉冲方法作了理论分析,得到的寿命的计算公式亦很简单,并从实验上对这方法进行了验证。对一组不同电阻率,不同导电类型的锗硅样品进行了寿命的测量。在同一块样品上,当样品表面的s→0及s→∞时,分别用双脉冲法进行了测量,得到的结果符合很好。将本方法与光电导衰退法进行比较,两者亦符合很好。最后对本方法的测准条件进行了详细分析,并列出本方法所要求的实验条件。