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| SiOx(X≤2)基电致发光体系研究进展 | |
| 作者姓名： | 张文彬 张开坚 李新军 何明兴 |
| 作者单位： | 攀枝花钢铁研究院,四川,攀枝花,617000;攀枝花钢铁研究院,四川,攀枝花,617000;重庆大学经济与工商管理学院,重庆,400044;中国科学院广州能源研究所,广州,510640 |
| 摘 要： | 近年来,SiOx(X≤2)基电致发光材料发展迅速。着重讨论了5种具有实用潜力Si基LED包括离子掺杂、Si-nc嵌SiO2、多孔硅、a-Si(C):H以及MOS结构,并对其电致发光机理以及存在的问题如量子效率低、稳定性差进行了分析,认为电致发光原子SiOx(X≤2)中发光中心和界面缺陷处载流子的辐射复合。在激子碰撞和电子空穴复合发光体系中,提高载流子的平衡注入能够显著提高量子效率。在对比SiOx(X≤2)基LED研究的基础上,对下一步发展提出了建议。 |
| 关 键 词： | 氧化硅 电致发光 掺杂 量子效率 载流子 |
| 文章编号： | 1000-7857（2006）02-0013-06 |
| 收稿时间： | 2005-10-24 |
| 修稿时间： | 2005-10-24 |
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