掺鎳锗中空位的电学性質

用扩散法制备了摻鎳鍩單晶样品。利用低溫退火的方法在n型摻鎳锗样品中获得了空位,并对其电学性質进行了实驗研究。在300°K-77°K的溫度范圍內研究了載流子浓度的溫度关系,結果沒有观察到位于禁带上半部的空位深能級。此外还指出了,在P型摻鎳锗中空位的有效复合截面比鎳原子的小。