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密度泛函理论计算半导体材料的带隙误差研究
作者单位:中国工程物理研究院 北京计算科学研究中心,北京 100193;中国工程物理研究院 研究生院,北京 100193;中国工程物理研究院 北京计算科学研究中心,北京 100193
摘    要:

关 键 词:密度泛函理论  半导体材料  带隙  局域密度近似  广义梯度近似
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