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| 硅栅MOS结构Poly—Si／SiO2界面研究 | |
| 引用本文： | 赵杰,赵梦碧.硅栅MOS结构Poly—Si／SiO2界面研究[J].东南大学学报(自然科学版),1997,27(4):38-43. |
| 作者姓名： | 赵杰 赵梦碧 |
| 作者单位： | [1]东南大学微电子中心 [2]中国华晶电子集团理化分析中心 |
| 摘 要： | 利用俄歇电子能谱，二次离子质谱等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区，根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源，利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道发射和“幸运电子”模型，定量分析过渡区对氧化层电导和器件热电子注入效应的影响。 |
| 关 键 词： | 界面 热载流子 硅栅MOS结构 Poly－硅 二氧化硅 |
Investigation of Poly Si/SiO 2 Interface in Polysilicon Gate MOS Structure |
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| Zhao Jie,Wei Tongli,Zhang Ankang.Investigation of Poly Si/SiO 2 Interface in Polysilicon Gate MOS Structure[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),1997,27(4):38-43. | |
| Authors: | Zhao Jie Wei Tongli Zhang Ankang |
| Abstract: | |
| Keywords: | Auger electron spectrometry secondary ion mass spectroscopy induction period conductance hot carrier |
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