| 常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究 |
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| 引用本文： | 王永兴,何笑明,王敬义.常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1990(3). |
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| 作者姓名： | 王永兴 何笑明 王敬义 |
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| 作者单位： | 华中理工大学武汉工业大学
(王永兴)，华中理工大学固体电子学系
(何笑明)，华中理工大学固体电子学系(王敬义) |
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| 摘 要： | 本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 a-Si薄膜 电导率 |
On the Electronic and Optical Properties of Amorphous Silicon Film Deposited by Chemical Vapor Deposition at Atmospheric Pressure |
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| Wang Yongxing He Xiaomin Wang Jinyi.On the Electronic and Optical Properties of Amorphous Silicon Film Deposited by Chemical Vapor Deposition at Atmospheric Pressure[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1990(3). |
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| Authors: | Wang Yongxing He Xiaomin Wang Jinyi |
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| Institution: | Wang Yongxing He Xiaomin Wang Jinyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Atmospheric pressure chemical vapor deposition a-Si thin film Conductivity |
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