| LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜 |
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| 引用本文： | 陈佰军,杨树人,刘宝林,王本忠,刘式墉. LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜[J]. 吉林大学学报(理学版), 1993, 0(2) |
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| 作者姓名： | 陈佰军 杨树人 刘宝林 王本忠 刘式墉 |
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| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023 |
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| 摘 要： | 本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.
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| 关 键 词： | LP-MOCVD 高质量 InP |
Eptaxial Growth of High Quality InP Films by LP-MOCVD |
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| Chen Baijun,Yang Shuren,Liu Baolin,Wang Benzhong,Liu Shiyong. Eptaxial Growth of High Quality InP Films by LP-MOCVD[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1993, 0(2) |
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| Authors: | Chen Baijun Yang Shuren Liu Baolin Wang Benzhong Liu Shiyong |
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| Abstract: | The present paper reports high quality InP films grown on InP(100) substrates by LP-MOCVD from native trimethylindium (TMIn) and import phosphine (PH3). X-ray double crystal diffraction, Hall and photoluminescencs (PL) analysis indicate that the films have excellent crystalline , electrical and optical properties. |
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| Keywords: | LP-MOCVD high quality InP |
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