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| 用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布 | |
| 作者姓名： | 刘亚雯 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所，北京有色金属研究总院，北京有色金属研究总院，北京有色金属研究总院 北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100088，北京 100088，北京 100088 |
| 摘 要： | 半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高 |
| 关 键 词： | 同步辐射 XRF 硅 掺杂元素 砷 |
| 收稿时间： | 1992-04-02 |
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