| 砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响 |
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| 引用本文： | 王松柏,张声豪.砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响[J].福建师范大学学报(自然科学版),2003,19(1):41-44. |
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| 作者姓名： | 王松柏 张声豪 |
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| 作者单位： | 1. 福州大学电子系,福建,福州,350002
2. 厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 福建省教育厅基金资助项目 ( JB0 10 16 ) |
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| 摘 要： | 采用5种经不同砷压但相同生长温度（1000℃）和时间(5h)处理的半绝缘（SI）GaAs样品，利用表面光伏（SPV）方法，测量和计算了SI－GaAs在室温（300K）下的主要施主浓度EL2、禁带宽度Egг和双极扩散长度La，并从理论上给相应的解释。
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| 关 键 词： | 半绝缘GaAs 砷压热处理 主要施主浓度 禁带宽度 双极扩散长度 半导体材料 半绝缘性质 |
| 文章编号： | 1000-5277(2003)01-0041-04 |
| 修稿时间： | 2002年10月18 |
The Influence Upon SI GaAs's Character by Different Arsenic Pressure in the Process of Heat Treatment |
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| WANG Song-bai,ZHANG Sheng-hao.The Influence Upon SI GaAs''s Character by Different Arsenic Pressure in the Process of Heat Treatment[J].Journal of Fujian Teachers University(Natural Science),2003,19(1):41-44. |
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| Authors: | WANG Song-bai ZHANG Sheng-hao |
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| Institution: | WANG Song-bai1,ZHANG Sheng-hao2 |
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