| GaAs中准分子激光诱导掺Zn和Si的研究 |
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| 引用本文： | 祝亚琴,马力,任临福,石景龙,戴国瑞,张玉书.GaAs中准分子激光诱导掺Zn和Si的研究[J].吉林大学学报(理学版),1993(2). |
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| 作者姓名： | 祝亚琴 马力 任临福 石景龙 戴国瑞 张玉书 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系 集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130023，集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130023，集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130023，集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130023，集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130023，集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130023 |
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| 摘 要： | 本文报导了用XeCl激光器实现向半绝缘GaAs衬底掺Zn的实验结果,给出了Zn原子的纵向分布以及掺杂后方块电阻与激光脉冲次数的关系曲线,同时在相同衬底上采用气体源进行了掺Si实验研究.
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| 关 键 词： | 准分子激光器 掺杂 杂质剖面分布 |
A Study on Excimer Laser Doping of Si and Zn in GaAs |
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| Zhu Yaqin,Ma Li,Rin Linfu,Shi Jinglong,Dai Guorui,Zhang Yushu.A Study on Excimer Laser Doping of Si and Zn in GaAs[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(2). |
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| Authors: | Zhu Yaqin Ma Li Rin Linfu Shi Jinglong Dai Guorui Zhang Yushu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | excimer laser doping depth profiles of dopant distribution |
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