脉冲偏压占空比对磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的影响 |
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引用本文: | 霍秋红,张翔,王昆仑,刘学男,王婉霞,孙珲.脉冲偏压占空比对磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的影响[J].科技智囊,2020(8):50-53. |
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作者姓名: | 霍秋红 张翔 王昆仑 刘学男 王婉霞 孙珲 |
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作者单位: | 山东大学空间科学与物理学院,山东,威海,264209;山东大学机电与信息工程学院,山东,威海, 264209 |
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摘 要: | 作为应用最为广泛的ITO透明导电薄膜一直是材料和电子领域研究的热点之一。实验利用磁控溅射方法制备了不同脉冲偏压占空比的ITO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测量仪分别对薄膜的微观结构、表面形貌和光电特性进行了测试分析。结果表明:占空比变化对ITO薄膜性能有着显著的影响。薄膜存在(211)(222)和(440)三个衍射峰,择优取向随着占空比的改变而改变,而且不同的占空比导致薄膜的晶粒尺寸发生了明显的变化。另外,随着占空比增加,薄膜的透过率和电阻率呈现非线性变化的趋势,薄膜在560纳米波段有97%的高透过率。当占空比为20%时,薄膜具有最低电阻率(2.70×10~(-4)Ω·cm)和最高可见光平均透过率(89.58%),此时薄膜的光电性能相对最佳。
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关 键 词: | ITO薄膜 磁控溅射 占空比 光电性能 |
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