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| 入射角与酞菁铜蒸发膜的晶粒取向 | |
| 引用本文： | 石祖荣.入射角与酞菁铜蒸发膜的晶粒取向[J].科学通报,1983,28(13):792-792. |
| 作者姓名： | 石祖荣 |
| 作者单位： | 中国科学院化学研究所 北京 (石祖荣)，中国科学院化学研究所 北京(蔡中孚) |
| 摘 要： | 酞菁铜(PcCu)的电导测量中常用蒸发膜,在10~(-5)乇下蒸得的是α-PcCu,晶粒有显著取向,晶粒取向不同对电导测量结果影响很大,为获得重复性好,性能优良的PcCu膜,多年来,很多作者对此进行过研究。但不同作者所得X-射线衍射峰相对强度往往不同,即使是相同作者也常得到不同结果,原因不清。本工作的结果说明决定PcCu蒸发膜晶粒取向 |
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