| PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能 |
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| 引用本文： | 张景基,赖珍荃,王震东,钟双英,王根水,孙瑾兰,褚君浩. PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能[J]. 江西科学, 2005, 23(5): 527-530 |
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| 作者姓名： | 张景基 赖珍荃 王震东 钟双英 王根水 孙瑾兰 褚君浩 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学与工程学院,江西,南昌,330047;南昌大学理学院,江西,南昌,330047;南昌大学材料科学与工程学院,江西,南昌,330047;南昌大学理学院,江西,南昌,330047;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/S iO2/S i衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)制备具有完全钙钛矿结构的多晶PZT(52/48)铁电薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)和Auger电子能谱(AES)测量其组分,X射线衍射仪(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,RT66A标准铁电测试系统分析Pt/PZT/Pt/Ti/S iO2/S i电容器的电学特性。结果表明:PZT铁电薄膜具有较高的剩余极化(Pr=44.9μC/cm2)和低的漏电流(10-8A量级)。
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| 关 键 词： | PZT铁电薄膜 射频磁控溅射 退火温度 |
| 文章编号： | 1001-3679(2005)05-0527-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-17 |
| 修稿时间： | 2005-06-29 |
Fabrication and Properties of PZT Ferroelectric Thin Film by RF Magnetron Sputtering |
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| ZHANG Jing-ji,LAI Zhen-quan,WANG Zhen-dong,ZHONG Shuang-ying,WANG Gen-shui,SUN Jin-lan,CHU Jun-hao. Fabrication and Properties of PZT Ferroelectric Thin Film by RF Magnetron Sputtering[J]. Jiangxi Science, 2005, 23(5): 527-530 |
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| Authors: | ZHANG Jing-ji LAI Zhen-quan WANG Zhen-dong ZHONG Shuang-ying WANG Gen-shui SUN Jin-lan CHU Jun-hao |
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| Affiliation: | ZHANG Jing-ji~1,LAI Zhen-quan~2,WANG Zhen-dong~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT ferroelectric thin films Post - anneal |
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