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| 干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展 | |
| 引用本文： | 朱洪亮.干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展[J].科学通报,1989,34(22):1681-1681. |
| 作者姓名： | 朱洪亮 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 |
| 摘 要： | 一、前言 干法刻蚀技术在硅器件材料及其集成电路的制作工艺中早已得到了深入的研究和广泛的应用。Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的干法刻蚀工作则是在80年代初才开始得到重视。近年来,光纤通信技术的迅速发展,对以Ⅲ—Ⅴ族化合物为基材制作的光电器件、图形加工精度和剖面垂直度要求越来越高,传统的湿法腐蚀技术已难以满足各种微米级、亚微米级甚至毫微米级器件结构尺寸和发光器件端镜面制作技术的发展要求,从而进一步推动了Ⅲ—Ⅴ族化 |
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