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| 离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究 | |
| 引用本文： | 张通和,李国辉,阎凤章,罗晏,吴瑜光,王文勋.离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1987(3). |
| 作者姓名： | 张通和 李国辉 阎凤章 罗晏 吴瑜光 王文勋 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所分析测试中心，北京师范大学低能核物理所分析测试中心，北京师范大学低能核物理所分析测试中心，北京师范大学低能核物理所分析测试中心，北京师范大学低能核物理所分析测试中心，北京师范大学低能核物理所分析测试中心 |
| 摘 要： | 利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场. |
| 关 键 词： | 双重离子注入 快速热退火 增强扩散 浅结 背散射分析 |
A STUDY OF RAPID THERMAL ANNEALING OF IMPLANTATION SAMPLE AND TECHNOLOGY OF SHALLOW JUNCTION |
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| Zhang Tonghe Li Guohui Yan Fengzhang Luo Yan Wu Yuguang Wang Wenxun.A STUDY OF RAPID THERMAL ANNEALING OF IMPLANTATION SAMPLE AND TECHNOLOGY OF SHALLOW JUNCTION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1987(3). | |
| Authors: | Zhang Tonghe Li Guohui Yan Fengzhang Luo Yan Wu Yuguang Wang Wenxun |
| Institution: | Zhang Tonghe Li Guohui Yan Fengzhang Luo Yan Wu Yuguang Wang Wenxun~* |
| Abstract: | |
| Keywords: | double implantation rapid thermal annealing enhanced diffusion shallow junction backscattering analysis |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |