| 氧钝化圆形孔缺陷石墨烯的电学特性 |
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| 引用本文： | 王森,戴振宏,刘兵,徐雷. 氧钝化圆形孔缺陷石墨烯的电学特性[J]. 烟台大学学报(自然科学与工程版), 2014, 0(3): 161-166 |
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| 作者姓名： | 王森 戴振宏 刘兵 徐雷 |
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| 作者单位： | 烟台大学光电信息科学技术学院; |
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| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-09-0867) |
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| 摘 要： | 基于第一性原理方法,计算了氧钝化圆形孔缺陷石墨烯的电磁学特性.根据缺陷碳原子数目(Cn)的不同,圆形孔缺陷石墨烯呈现出了锯齿型(扶手椅型)边界,并且具有反铁磁(顺磁)基态,所有的圆形孔缺陷石墨烯都显现出了半导体性质.氧钝化的孔缺陷石墨烯均是半导体,而且呈现出了多样性的几何结构.研究发现,与氢钝化圆形孔缺陷石墨烯不同,氧钝化圆形孔缺陷石墨烯存在着更稳定的非平面结构.非平面结构的C6+O与C12+O展现出了半导体性质,而C24+O展现出了导体性质.研究表明:氧原子可以用于调节孔缺陷石墨烯的导电性质,并且为石墨烯孔结构器件设计提供有价值的理论指导.
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| 关 键 词： | 石墨烯 第一性原理 纳米孔缺陷 电学特性 |
Electrical Properties of Oxidation-Passivated Graphene Sheets with Circular Nanohole Defects |
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| WANG Sen;DAI Zhen-hong;LIU Bing;XU Lei. Electrical Properties of Oxidation-Passivated Graphene Sheets with Circular Nanohole Defects[J]. Journal of Yantai University(Natural Science and Engineering edirion), 2014, 0(3): 161-166 |
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| Authors: | WANG Sen DAI Zhen-hong LIU Bing XU Lei |
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| Affiliation: | WANG Sen;DAI Zhen-hong;LIU Bing;XU Lei;School of Opto-electronic Information Science and Technology,Yantai University; |
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| Abstract: | |
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