高岭石/甲酰胺插层的^1H魔角旋转核磁共振谱 |
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作者姓名: | 王林江 吴大清 袁鹏 陈志伟 陈忠 |
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作者单位: | 1. 中国科学院广州地球化学研究所;厦门大学 2. 中国科学院广州地球化学研究所, 3. 厦门大学化学化工学院, |
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基金项目: | 本工作受国家自然科学基金(批准号:40072014)和厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室开放基金(批准号:9911)资助. |
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摘 要: | 应用高转速^1H魔角旋转核磁共振技术,区分高岭石结构中的内羟基和内表面羟基,研究高岭石/甲酰胺插层机理,内羟基质子的化学位移δ=-1.3--0.9,内表面羟基δ-2.4-3.0,高岭石/甲酰胺插层复合物的^1H核磁共振谱出现3个质子峰,内表面羟基与甲酰胺羰基形成氢键后质子峰向高场方向位移至δ=2.3-2.7;由于氨基质子在高岭石复三方孔洞的嵌入,在氨基质子与内羟基质子之间产生范德华效应,使内羟基质子峰向低场方向位移至δ=-0.3,插层作用产生的附加质子峰为δ=5.4-5.6,归属于与高岭石四面体氧原子形成氢键的氨基质子。
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关 键 词: | 高岭石 表面羟基 甲酰胺 插层反应机理 ^1H魔角旋转核磁共振谱 有机插层复合物 |
修稿时间: | 2001-07-10 |
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