| InAs-SiO2的电学特性研究 |
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| 引用本文： | 冯声祖. InAs-SiO2的电学特性研究[J]. 安徽大学学报(自然科学版), 2000, 24(2): 52-55 |
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| 作者姓名： | 冯声祖 |
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| 作者单位： | 淮南工业学院,数理系,安徽,淮南,232001 |
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| 摘 要： | 通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数交叠引起的。研究表明对于Ⅲ－Ｖ族元素半导体颗粒镶嵌薄膜的变程跳跃电导在导电机制中起主导作用。
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| 关 键 词： | 薄膜 波函数 变程跳跃 (VRH)电导 |
Investigation into the Electrical Properties of InAs-SiO2 |
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| FENG Sheng-zu. Investigation into the Electrical Properties of InAs-SiO2[J]. Journal of Anhui University(Natural Sciences), 2000, 24(2): 52-55 |
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| Authors: | FENG Sheng-zu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin films wave function variable stroke jump VRH conductivity |
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