首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究
引用本文:李勇,马书懿,蔡利霞,李锡森.锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究[J].甘肃科技,2009,25(7):56-57.
作者姓名:李勇  马书懿  蔡利霞  李锡森
作者单位:西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070
基金项目:国家自然科学基金,甘肃省自然科学基金 
摘    要:分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱(EL)进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。

关 键 词:Ge/SiO2  C/SiO2  电致发光  发光中心
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号