| 基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究 |
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| 引用本文： | 龙永福.基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究[J].湖南文理学院学报(自然科学版),2003,15(1):24-26. |
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| 作者姓名： | 龙永福 |
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| 作者单位： | 常德师范学院物电系 湖南常德415000 |
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| 基金项目： | 常德师范学院院基金 ( 2 0 0 3年度 )资助 . |
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| 摘 要： | 提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成 .把电抛光体硅的电流密度Je 与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α .推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式 .在实验误差的范围内 ,三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性 .
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| 关 键 词： | 多孔硅 多孔度 腐蚀电流密度 电抛光 |
| 文章编号： | 1009-3818(2003)01-0024-03 |
| 修稿时间： | 2002年11月14 |
STUDY OF THE VELOCITY FOR POROUS SILICON GROWTH BASED ON THE ANODIC ETCHING |
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| LONG Yong-fu.STUDY OF THE VELOCITY FOR POROUS SILICON GROWTH BASED ON THE ANODIC ETCHING[J].Journal of Hunan University of Arts and Science:Natural Science Edition,2003,15(1):24-26. |
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| Authors: | LONG Yong-fu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon (PS) porosity etching current density electro-polishing |
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