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| Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究 | |
| 引用本文： | 孙汪典.Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究[J].暨南大学学报,1998(5). |
| 作者姓名： | 孙汪典 |
| 作者单位： | 暨南大学物理学系 |
| 摘 要： | 对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。 |
| 关 键 词： | 碲硫锌，俄歇电子能谱，化学位移 |
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