首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体ZnS_(1-x)Te_x薄膜的俄歇电子能谱化学位移实验研究
作者姓名:孙汪典
作者单位:暨南大学物理学系
摘    要:对分子束外延(MBE)生长的Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ZnS1-xTex(0≤x≤1)单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究,发现其中各元素俄歇峰的化学位移随x的增大而非线性减小的变化规律。

关 键 词:碲硫锌,俄歇电子能谱,化学位移
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号