不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响 |
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作者姓名: | 毛彩霞 黄海铭 胡永红 |
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作者单位: | 1.湖北科技学院 核技术与化学生物学院, 湖北 咸宁; 2.湖北汽车工业学院 理学院, 湖北 十堰; 3.南京理工大学 材料科学与工程学院, 南京 |
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摘 要: | 通过一性原理计算, 研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响. 结果表明, 替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽, 而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体. 比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度, 并解释了相应的电子结构和光学性质的差别. 发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小, 而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移, 折射率减小, 而且在可见到近紫外光区域 (0到4.2 eV), 具有比纯ZnO更好的光透过性.
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关 键 词: | 第一性原理计算; 电子结构; 态密度; 光学性质; MgZnO |
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