| 不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 毛彩霞,黄海铭,胡永红.不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响[J].华中师范大学学报(自然科学版),2016,50(2):0. |
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| 作者姓名： | 毛彩霞 黄海铭 胡永红 |
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| 作者单位： | 1.湖北科技学院 核技术与化学生物学院， 湖北 咸宁； 2.湖北汽车工业学院 理学院， 湖北 十堰； 3.南京理工大学 材料科学与工程学院， 南京 |
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| 摘 要： | 通过一性原理计算， 研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响. 结果表明， 替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽， 而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体. 比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度， 并解释了相应的电子结构和光学性质的差别. 发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小， 而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移， 折射率减小， 而且在可见到近紫外光区域 (0到4.2 eV)， 具有比纯ZnO更好的光透过性.
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| 关 键 词： | 第一性原理计算 电子结构 态密度 光学性质 MgZnO |
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