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| 第一性原理研究C/Si比对SiC理想剪切强度的影响 | |
| 引用本文： | 苏 文,李盈盈.第一性原理研究C/Si比对SiC理想剪切强度的影响[J].华中师范大学学报(自然科学版),2016(2). |
| 作者姓名： | 苏 文 李盈盈 |
| 作者单位： | 1.武汉大学 动力与机械学院， 武汉； 2.国核(北京)科学技术研究院， 北京 |
| 摘 要： | 使用第一性原理计算方法研究C/Si比对β-SiC的理想剪切强度的影响,建立化学计量比下理想β-SiC分子模型,用C原子替换其中的Si原子,经蒙特卡罗方法优化得到非化学计量比下的SiC分子模型,这些晶体的C/Si比的变化范围是1~1.52.每个模型样品都沿100]方向剪切,得到其剪切应力应变关系,最终了解C/Si比对SiC理想剪切强度的影响.计算结果表明,随着C/Si比增加,SiC的理想强度总体上呈下降趋势.在剪切载荷逐渐增大情况下,晶体会在C团簇周围的C-C键或者C-Si键处断裂.C原子的聚集,会使SiC的剪切强度减少,因为C团簇内部存在应变,而且C团簇越大,SiC的剪切强度下降得越剧烈. |
| 关 键 词： | 理想剪切强度 第一性原理 蒙特卡罗模拟 SiC C团簇 非化学计量比 |
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