| GaInP2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究 |
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| 引用本文： | 王晋国,李晓婷,魏俊波.GaInP2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究[J].陕西师范大学学报,2005,33(2):37-39. |
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| 作者姓名： | 王晋国 李晓婷 魏俊波 |
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| 作者单位： | 长安大学理学院，长安大学理学院，长安大学理学院 陕西西安710061，陕西西安710061，陕西西安710061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(2040174032)，长安大学科研基金资助项目(2004J01) |
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| 摘 要： | 采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简写为LP MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结的重掺杂和互扩散特性进行了研究.结果表明,在生长温度为600℃,H2Se流量为3mL/min及隧道结N型层掺杂剂选用Se的条件下,可得到电子浓度为5×1019cm-3;而采用自掺C(通过不断改变五族元素与三族元素之比)可得到P型载流子浓度为1017～1021cm-3的GaAs隧道结.说明该生长方法可获得电池隧道结中高掺杂水平的PN结,并且能够达到抑制掺杂杂质互扩散现象的设计要求.
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| 关 键 词： | GaAs 隧道结 掺杂 |
| 文章编号： | 1672-4291(2005)02-0037-03 |
| 修稿时间： | 2005年1月12日 |
Metal organic chemical vapor deposition growth and structure design of tunnel junction of GaInP2/GaAs/Ge tandem solar cells |
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| WANG Jin-guo,LI Xiao-ting,WEI Jun-bo.Metal organic chemical vapor deposition growth and structure design of tunnel junction of GaInP2/GaAs/Ge tandem solar cells[J].Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed,2005,33(2):37-39. |
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| Authors: | WANG Jin-guo LI Xiao-ting WEI Jun-bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs tunnel junction doping |
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