| 铝在硅中的固溶度 |
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| 引用本文： | 王蔚国,谭淞生. 铝在硅中的固溶度[J]. 中南大学学报(自然科学版), 1990, 0(2) |
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| 作者姓名： | 王蔚国 谭淞生 |
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| 作者单位： | 中南工业大学，中国科学院上海冶金研究所 |
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| 摘 要： | 本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度界于4×10~(18)～1.5×10~(19)atoms/cm~3,计算出相应的分凝系数,推得硅熔点1415℃的分凝系数为1.8×10~(-3),微分溶解热0.6eV。
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| 关 键 词： | 液相外延生长 溶解度 分凝 迁移率 相图 硅 铝 温度 |
SOLID SOLUBILITIES OF IMPURITY ELEMENT ALUMINUM IN SILICON |
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| Wang Weiguo,Tan Songsheng Central South University of Technology. SOLID SOLUBILITIES OF IMPURITY ELEMENT ALUMINUM IN SILICON[J]. Journal of Central South University:Science and Technology, 1990, 0(2) |
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| Authors: | Wang Weiguo Tan Songsheng Central South University of Technology |
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| Affiliation: | Wang Weiguo,Tan Songsheng Central South University of Technology Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | liquid phase epitaxial growth solubility segregation mobility phase liagrams silicon aluminium temperature |
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