| 基于SIMOX材料的可集成高压器件研究 |
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| 引用本文： | 赵川,卓碧华.基于SIMOX材料的可集成高压器件研究[J].西南民族学院学报(自然科学版),2009,35(3). |
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| 作者姓名： | 赵川 卓碧华 |
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| 作者单位： | 武警成都指挥学院,四川成都 |
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| 摘 要： | 通过增加一次高压注入, 对0.8μm SOI CMOS工艺平台进行智能电压扩展. 在SIMOX材料上设计并实现了兼容该工艺的横向高压器件, 实现了低压CMOS与高压LDMOS的单片集成. 在硅膜厚度为205nm、埋氧层厚度为375nm的SIMOX材料上, 研制出阈值电压、击穿电压分别为1.3V、38V的高压LDMOS. 此高低压兼容SOI技术可将高低压器件单片集成, 节约了芯片成本, 提高了可靠性.
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| 关 键 词： | 辐射 高压 |
Integrated high voltage LDMOS on SIMOX Wafer |
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| ZHAO Chuan,ZHUO Bi-hua.Integrated high voltage LDMOS on SIMOX Wafer[J].Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition),2009,35(3). |
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| Authors: | ZHAO Chuan ZHUO Bi-hua |
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| Keywords: | SOI SIMOX LDMOS |
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