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| GaP:N外延层特性的研究 | |
| 引用本文： | 江炳熙,周必忠,林秀华.GaP:N外延层特性的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1981(3). |
| 作者姓名： | 江炳熙 周必忠 林秀华 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系 (江炳熙，周必忠)，厦门大学物理系(林秀华) |
| 摘 要： | 本文研究了生长条件对GaP:N外延层的形貌、生长速率、位错密度、S坑密度、氮浓度、少子寿命的影响。实验表明,外延层中的氮浓度、少子寿命随外延生长起始温度的升高而增大。用GaN作为掺杂氮源,在1037—980℃温度范围生长的外延层中氮浓度不高于5.6×10~(17)cm~(-3);LEC GaP衬底(τ_m～5ns)上在995—900℃温度范围生长的外延层,其少子寿命可达～130ns。外延层中的位错密度和衬底中大体相同,但S坑密度降低一个数量级。 |
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