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Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为
引用本文:王红洁,王永兰,金志浩. Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为[J]. 西安交通大学学报, 2000, 34(12): 59-62
作者姓名:王红洁  王永兰  金志浩
作者单位:西安交通大学,710049,西安
基金项目:西安交通大学校科研和教改项目 
摘    要:测定了2种不同显微结构的Si3N4材料的阻力行为,并对裂纹扩展过程中的裂尖尾区闭合应力进行了估算,研究发现:Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为密切相关,长柱状β-Si3N4的R曲线较陡,而β/α双相陶瓷的R曲线较为平缓,同时,显微结构不同,裂纹尖端闭合应力也不同,因而会产生不同的R曲线。

关 键 词:Si3N4 显微结构 R曲线 陶瓷材料

Microstructure and Crack Resistance Behaviour of Silicon Nitride Ceramics
Wang Hongjie,Wang Yonglan,Jin Zhihao. Microstructure and Crack Resistance Behaviour of Silicon Nitride Ceramics[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2000, 34(12): 59-62
Authors:Wang Hongjie  Wang Yonglan  Jin Zhihao
Abstract:
Keywords:Si3N4
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