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新型(CN)2Ge络合物电子结构的从头算理论研究
引用本文:刘尚长,刘宁徽.新型(CN)2Ge络合物电子结构的从头算理论研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),2005,32(2):97-100.
作者姓名:刘尚长  刘宁徽
作者单位:辽宁大学,化学系,辽宁,沈阳,110036;沈阳金融商贸开发区,管理委员会,辽宁,沈阳,110013
基金项目:国家自然科学基金资助项目(8503443;29771016)
摘    要:首次报道了一类新型(CN)2Ge络合物电子结构的从头算理论研究的结果.得到了最稳定的几何形构型、络合物相对取向、键距的依存关系,并为实际合成指明了方向.

关 键 词:CNNC  NCCN  CNCN  CCNN  新型Ge络合物  GAUSSIAN03  从头算RHF/6-311G**方法
文章编号:1000-5846(2005)02-0097-04

Ab Initio Theory Studies on Electronic Structures of a New Complex of (CN)2 Ge
LIU Shang-zhang,LIU Ning-hui.Ab Initio Theory Studies on Electronic Structures of a New Complex of (CN)2 Ge[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2005,32(2):97-100.
Authors:LIU Shang-zhang  LIU Ning-hui
Institution:LIU Shang-zhang~1,LIU Ning-hui~2
Abstract:Electronic structure on a new complex of CNNC(NCCN, CNCN, CCNN)Ge were studied by using theory method of ab initio calculations, and the calculated results were first reported. The dependence of the most stable geometry configuration, relative orientation and bond distances for these complexes were obtained, and pointed out a way for the practical synthesis.
Keywords:CNNC  NCCN  CNCN  CCNN  new complex for Ge  GAUSSIAN03  ab initio calculations  RHF/6-311Gmethod  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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