| 利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料 |
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| 引用本文： | 周炳卿,周培勤,赵凤岐.利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2004,33(3):232-236. |
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| 作者姓名： | 周炳卿 周培勤 赵凤岐 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院，内蒙古师范大学物理与电子信息学院，内蒙古师范大学物理与电子信息学院 内蒙古呼和浩特010022，内蒙古呼和浩特010022，内蒙古呼和浩特010022 |
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| 基金项目： | 内蒙古自然科学基金资助项目(200308020104) |
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| 摘 要： | 利用13．56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PEcVD)技术，高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si：H)薄膜，研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响，通过选择适当的沉积参数．得到了沉积速率为0．3～0．4nm／s的μc-Si：H薄膜材料．薄膜的暗电导为10^-7S／cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级．电导激活能为0．52eV左右．所得的μc-Si：H薄膜材料稳定性好，达到了器件级质量。
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 高速沉积 射频 薄膜太阳电池 |
| 文章编号： | 1001-8735(2004)03-0232-05 |
| 修稿时间： | 2004年6月8日 |
HIGH RATE DEPOSITION OF DEVICE QUALITY MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS USING 13.56MHz RF-PECVD TECHNIQUE |
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| ZHOU Bing-qing,ZHOU Pei-qin,ZHAO Feng-qi.HIGH RATE DEPOSITION OF DEVICE QUALITY MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS USING 13.56MHz RF-PECVD TECHNIQUE[J].Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition),2004,33(3):232-236. |
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| Authors: | ZHOU Bing-qing ZHOU Pei-qin ZHAO Feng-qi |
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| Keywords: | microcrystalline silicon films PECVD high rate deposition |
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