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钼酸钙晶体中点缺陷的电子结构研究
引用本文:濮春英,刘廷禹,张启仁.钼酸钙晶体中点缺陷的电子结构研究[J].上海理工大学学报,2008,30(2):112-116.
作者姓名:濮春英  刘廷禹  张启仁
作者单位:上海理工大学,理学院,上海,200093
基金项目:上海市重点学科建设项目
摘    要:运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα),模拟计算了完整的和含氧空位的钼酸钙(CaMoO_4)晶体的电子结构,得到了含有F、F~ 心的CaMoO_4晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F、F~ 心的CaMoO_4晶体的禁带宽度明显变窄,F、F~ 心的能级出现在禁带中,利用过渡态理论计算得到其向Mo的4 d轨道发生光学跃迁,跃迁能量值分别为1.93,2.03 eV.利用提拉法生长的CaMoO_4晶体呈现蓝色的本质原因是F、F~ 心在黄红区产生比较强的吸收.

关 键 词:钼酸钙晶体  离散变分法  F、F~    电子结构
文章编号:1007-6735(2008)02-0112-04
修稿时间:2006年11月16

Electronic structure of CaMoO4 crystal with point defects
PU Chun-ying,LIU Ting-yu,ZHANG Qi-ren.Electronic structure of CaMoO4 crystal with point defects[J].Journal of University of Shanghai For Science and Technology,2008,30(2):112-116.
Authors:PU Chun-ying  LIU Ting-yu  ZHANG Qi-ren
Abstract:
Keywords:CaMoO_4 crystal  DV-Xa  F  F~  color centers  electronic structure
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