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| 利用二次离子质谱法对氢在SiC-C涂层中热稳定性的研究 | |
| 引用本文： | 张瑞谦,任丁,黄宁康,曾俊辉,杜良,张东,王春芬.利用二次离子质谱法对氢在SiC-C涂层中热稳定性的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2006,43(6):1322-1326. |
| 作者姓名： | 张瑞谦 任丁 黄宁康 曾俊辉 杜良 张东 王春芬 |
| 作者单位： | 1. 四川大学原子核科学技术研究所·教育部辐射物理和技术重点实验室,成都,610064 2. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900 3. 洛阳船舶材料研究所,河南洛阳,471039 |
| 摘 要： | 利用Ar+离子束轰击混合沉积技术(ion beam mixing)在不锈钢基体上制备在不锈钢和碳钢基体上沉积SiC-C涂层,并然后对样品进行加后热处理热去氩处理(400℃/30min),再用5keV的氢离子辐照样品.最后对部分氢离子辐照后的样品进行加热处理(300℃/20min,600℃/20min,900℃/20min),以观察氢在SiC-C涂层中的热稳定性.通过和二次离子质谱仪(SIMS)H元素深度分布和正离子质谱分析,研究氢元素在SiC-C涂层中和在不同基团中的热稳定性后热处理.结果表明,在300℃ |
| 关 键 词： | SiC-C涂层 阻氢 去氩后热处理SIMS 热稳定性 |
| 文章编号： | 0490-6756（2006）06-1322-05 |
| 收稿时间： | 2006-06-23 |
| 修稿时间： | 9/9/2006 12:00:00 AM |
Study in Thermal Stability of Hydrogen in SiC-C Films by Sexondary ion Mass Spectrum Method |
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| ZHANG Rui-qian,REN Ding,HUANG Ning-kang,ZENG Jun-hui,DU Liang,ZHANG Dong,WANG Chun-fen.Study in Thermal Stability of Hydrogen in SiC-C Films by Sexondary ion Mass Spectrum Method[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2006,43(6):1322-1326. | |
| Authors: | ZHANG Rui-qian REN Ding HUANG Ning-kang ZENG Jun-hui DU Liang ZHANG Dong WANG Chun-fen |
| Institution: | Institute of Nuclear Science and Technology·Key Lab.for Radiation Physics and Technology of Education Ministry of China,Institute of Nuclear Science and Technology·Key Lab.for Radiation Physics and Technology of Education Ministry of China,Institute of Nuclear Science and Technology·Key Lab.for Radiation Physics and Technology of Education Ministry of China,The Nuclear Physics and Chemistry Institute; The China Academy of Engineering and Physics,The Nuclear Physics and Chemistry Institute; The China Academy of Engineering and Physics,The Nuclear Physics and Chemistry Institute; The China Academy of Engineering and Physics,Luoyang Shipmateral Research Institute |
| Abstract: | |
| Keywords: | SiC-C films hydrogen retention SIMS thermal stability |
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