稀土Yb~+注入硅单晶所产生非晶层的快速热退火固相外延结晶研究 |
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引用本文: | 李岱青,任廷琦,万亚,宫宝安,徐天冰.稀土Yb~+注入硅单晶所产生非晶层的快速热退火固相外延结晶研究[J].青岛大学学报(自然科学版),1994(3). |
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作者姓名: | 李岱青 任廷琦 万亚 宫宝安 徐天冰 |
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作者单位: | 烟台师院物理系,烟台大学应用化学系,中国科学院物理所 |
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基金项目: | 山东省教委科研处及北京中关村地区联合分析测试基金 |
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摘 要: | 用卢瑟福背散射/沟道技术研究了350kevYb+注入Si(100)所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程.实验结果表明,在800℃-1000℃的快速热退火温度下,在Yb+射程范围以外的非晶层很容易固相外延结晶;但在同样退火温度下,在Yb+射程分布范围内非晶层的团相外延结晶则非常缓慢.只有在退火温度高于1200℃时,整个表面非晶层才完全消失.射程末端附近的复杂缺陷和缺陷杂质复合体是导致这两个不同结晶区域的主要原因.
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关 键 词: | 固相外延结晶 快速热退火 离子注入 背散射/沟道谱 |
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