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| 蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响 | |
| 作者姓名： | 曾兆权 王勇 杜小龙 梅增霞 孔祥和 贾金锋 薛其坤 张泽 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080;曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165 2. 中国科学院物理研究所电子显微镜重点实验室,北京,100080 3. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080 4. 曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165 5. 中国科学院物理研究所电子显微镜重点实验室,北京,100080;北京工业大学,北京,100022 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60376004,10174089,60021403)，国家重点基础研究发展规划(批准号: 2002CB613502)资助项目 |
| 摘 要： | 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属Ga薄层的方法生长出了高质量的ZnO单晶薄膜. 这个Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成. 反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明, 该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性. 详细讨论了Ga浸润层在ZnO的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用, 并通过一个双层Ga原子模型分析了单一极性生长的机理. |
| 关 键 词： | 蓝宝石 极性 缺陷密度 ZnO RF-MBE RHEED HRXRD Ga浸润层 |
| 收稿时间： | 2003-11-18 |
| 修稿时间： | 2004-04-12 |
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