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机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进
引用本文:谷锦华,卢景霄,李维强.机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进[J].郑州大学学报(理学版),2003,35(2):32-33,41.
作者姓名:谷锦华  卢景霄  李维强
作者单位:郑州大学物理工程学院,郑州,450052
基金项目:河南省自然科学基金资助项目,编号 0 0 40 40 2 0 0
摘    要:采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象,使电池串联电阻由0.5Ω降为0.1Ω.在化学镀银过程中,采用聚四氟乙烯材料作容器,避免了银沉积容器内壁.镀液中加入络合剂-氨水,可较好地控制反应,使镀银效果大大提高.

关 键 词:埋栅硅太阳电池  化学镀工艺  机械刻槽  串联电阻  化学镀铜  化学镀银
文章编号:1671-6841(2003)02-0032-02

Improvement of Chemical Plating Process in Buried Contact Silicon Solar Cells with Mechanical Grooving
Gu Jinhua,Lu Jingxiao,Li Weiqiang.Improvement of Chemical Plating Process in Buried Contact Silicon Solar Cells with Mechanical Grooving[J].Journal of Zhengzhou University:Natural Science Edition,2003,35(2):32-33,41.
Authors:Gu Jinhua  Lu Jingxiao  Li Weiqiang
Abstract:
Keywords:chemical plating  mechanical grooving  buried contact silicon solar cells  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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