| 乙醇作为碳源的碳纳米管阵列氧化铝模板法制备 |
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| 作者姓名： | 俞国军 王森 巩金龙 朱德彰 何绥霞 李玉兰 朱志远 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院,上海,201800 |
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| 基金项目： | 本工作为中国科学院知识创新工程重要方向项目、国家自然科学基金(批准号: 10375085)、国家基础研究发展规划(973)(批准号: 2003CB716901)及上海市纳米专项(批准号: 0352nm050)资助项目. |
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| 摘 要： | 以乙醇为碳源在低气压条件下利用化学气相沉积(CVD)技术在多孔氧化铝模板中制备了碳纳米管阵列. 扫描电子显微镜(SEM)和低分辨透射电子显微镜(TEM)成像结果表明, 所得碳纳米管的外径和长度高度统一, 完全受制于所制备的多孔氧化铝模板阵列纳米孔道. 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)成像表明, 所得碳纳米管的管壁石墨化程度虽与自由生长的多壁碳纳米管管壁石墨化程度还有一定差距, 但已明显高于目前文献所报道的此类碳纳米管. 作为对比, 在相同生长条件下使用乙炔作为碳源也得到了碳纳米管阵列, HRTEM成像结果和Raman光谱证明, 其管壁的石墨化程度较前者要低得多. 本文提出羟基自由基对无定形碳的刻蚀作用对碳纳米管管壁的石墨化有重要影响; 另外, 初步探讨了多孔氧化铝模板阵列纳米孔道的光滑程度对碳纳米管生长的影响.
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| 关 键 词： | 乙醇 多孔氧化铝模板 化学气相沉积 碳纳米管阵列 羟基自由基 |
| 收稿时间： | 2004-07-18 |
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