理论研究应力与氮掺杂对石墨烯的稳定性以及带隙的影响

石墨烯作为新型的二维纳米材料,具有巨大的应用潜力,但是石墨烯零带隙的性质不利于其在电子器件领域的应用。该文利用密度泛函紧束缚方法对石墨烯在不同应力和N掺杂下进行了模拟计算,发现了在应力逐渐增加的情况下N掺杂使石墨烯的形成能降低,有利于提高N掺杂后的稳定性。同时,在应力和N掺杂的共同作用下,石墨烯的带隙可以被打开。